引起LED燈珠漏電的原因有以下幾種(其中以第2、3、6項(xiàng)原因居多)：

1、LED燈珠內(nèi)部的晶片本身質(zhì)量存在缺陷，制造或者設(shè)計(jì)不良導(dǎo)致漏電。

2、LED燈珠內(nèi)部的晶片受到過(guò)污染，這是經(jīng)常發(fā)生的問(wèn)題也是最常見(jiàn)的問(wèn)題。其原因可能就是在拿晶片時(shí)使用時(shí)沒(méi)有注意，使晶片沾上灰塵或沾上水汽等東西，led晶片是一種非常細(xì)小的東西，稍微不注意就會(huì)破壞燈珠的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致燈珠漏電或者是死燈。所以這就要求廠(chǎng)房要使用無(wú)塵車(chē)間，取晶片時(shí)帶上防靜電手套，做好各種相應(yīng)的防護(hù)等等一系列的要求。

3、LED燈珠焊線(xiàn)時(shí)線(xiàn)沒(méi)有焊好導(dǎo)致燈珠漏電。比如說(shuō)線(xiàn)被焊偏，虛焊，焊線(xiàn)拉力設(shè)置不當(dāng)，這些都會(huì)出現(xiàn)燈珠漏電的現(xiàn)象，這個(gè)問(wèn)題也是比較常見(jiàn)。

4、在固晶時(shí)底膠過(guò)高過(guò)厚導(dǎo)致漏電。

5、工藝不當(dāng)造成晶片開(kāi)裂等，比如，燈珠在焊線(xiàn)時(shí)由于焊線(xiàn)機(jī)操作不當(dāng)導(dǎo)致磁嘴焊線(xiàn)時(shí)壓力過(guò)大，導(dǎo)致芯片發(fā)生損傷，使芯片開(kāi)裂等。

6、靜電引起燈珠漏電，靜電通常是由摩擦引起的，這個(gè)也是比較容易漏電的原因，所以在生產(chǎn)燈珠時(shí)應(yīng)要求員工穿帶靜電服及靜電帽，盡量減少靜電的發(fā)生。

貼片led燈珠漏電的情況下，相信大部分人都遭遇過(guò)，但漏電的原因各不相同。有的貼片led燈珠漏電是led燈珠包裝完成后的試驗(yàn)時(shí)發(fā)生的，有的是長(zhǎng)時(shí)間放置的，有的是老化后發(fā)生的，有的是焊接后發(fā)生的。擴(kuò)展LED今天具體地貼片led燈珠漏電有什么原因呢。

一、由應(yīng)力引起的貼片led燈珠漏電應(yīng)力由材料的熱脹冷縮產(chǎn)生。在led燈珠中，有不同的材料，熱膨脹系數(shù)不同。在溫度反復(fù)變化的過(guò)程中，各物質(zhì)不能回到最初接觸的狀態(tài)，相互保持一定的應(yīng)力。但是，不一定有害。只有在膨脹系數(shù)的差太大、處理?xiàng)l件不適當(dāng)?shù)那闆r下，才有可能殘留較大的應(yīng)力。在該應(yīng)力嚴(yán)重的情況下，壓壞芯片，損壞芯片，漏電，部分區(qū)域開(kāi)路不亮或完全不亮。應(yīng)力不太大的情況下，也會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的結(jié)果。原本貼片led燈珠的側(cè)面存在懸架耦合，由于應(yīng)力的原因表面原子微小位移，這些懸架結(jié)合的電場(chǎng)更加處于不平衡狀態(tài)，端面pN結(jié)的能量水平狀態(tài)發(fā)生變化，導(dǎo)致漏電。

二、由于不恰當(dāng)?shù)氖褂觅N片led燈珠漏電少。當(dāng)向led燈珠施加較高的反電壓時(shí)，pN結(jié)可能損壞并漏電。

三、工藝不當(dāng)，芯片破裂貼片led燈珠芯片底部的膠體不均勻，墊下有空洞，在打線(xiàn)時(shí)可能損壞芯片導(dǎo)致漏電或失效。焊機(jī)調(diào)整不當(dāng)，損傷芯片，產(chǎn)生漏電或失效。

四、靜電問(wèn)題也不能忽視。靜電放電需要導(dǎo)電電路，并不是如果有靜電就會(huì)損壞。led燈珠在僅發(fā)生輕微漏電問(wèn)題的情況下，可以考慮靜電的偶發(fā)損傷問(wèn)題。如果大量發(fā)生的話(huà)，可能會(huì)出現(xiàn)芯片臟污和應(yīng)力的問(wèn)題。

五、銀橡膠過(guò)高的話(huà)，漏電和打線(xiàn)偏壓焊接引起的漏電銀橡膠過(guò)高的話(huà)，打線(xiàn)偏壓焊接引起的漏電led燈珠在包裝行業(yè)已經(jīng)是顯而易見(jiàn)的常識(shí)性問(wèn)題。

六、芯片臟污導(dǎo)致漏電芯片臟污導(dǎo)致漏電是非常重要的問(wèn)題：LED芯片非常小，灰塵等容易對(duì)其產(chǎn)生屏蔽作用，最重要的是灰塵、水蒸氣、各種雜質(zhì)離子附著在芯片表面，表面不僅作用于led燈珠芯片內(nèi)部led燈珠擴(kuò)散到芯片內(nèi)部并起作用。例如銅離子，鈉離子都容易擴(kuò)散到半導(dǎo)體材料中，并且可以以非常小的數(shù)量嚴(yán)重地惡化半導(dǎo)體器件的性能。